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- （）指的是同位素。A、质量数相同,中子数不同的元素
B、质量数不同,中子数相同的元素
C、质子数相同,中子数不同的元素#
D、中子数相同,质子数不同的元素
- 原子的组成部分为质子、电子和（）。未曝光的X射线胶片盒保存时应（）。A、中子#
B、分子
C、光子
D、光子、中子A、平放
B、直立#
C、堆放
D、任意放置
- CO2气体对焊接的影响是（）。在X射线管中,高速运动的电子与靶相撞,能够产生连续X射线,在特殊情况下也能产生（）。未曝光的X射线胶片盒保存时应（）。A、二氧化碳气体属于氧化性气体,高温下可以将金属元素氧化
B、在
- 原子的组成部分为质子、电子和（）。Χ射线管聚焦杯起电子透镜的作用,聚焦杯如何限制电子束尺寸？（）。A、中子#
B、分子
C、光子
D、光子、中子A、俘获灯丝发射的杂散电子B、限制灯丝电流的最大安培值；C、减少靶散
- 对接接头的坡口形式可分为（）。垂直入射时,若Z1＞Z2（即钢材水浸探伤时工件底面的钢/水界面）,则钢/水界面上声压透射率为（）。直接接触法探伤可以使用（）。A、不开坡口
B、V形坡口、X形坡口
C、单U形坡口和双U形
- 工件对比度受（）因素影响最大。黑光灯的操作正确的是（）。A、试件厚度差#
B、射线的质
C、散射线
D、以上均不对A、可随时关掉再开B、不可中途关掉,应待工作告一段落再关C、无需预热D、以上都对
- 声程不小于1.6N后声场就进入（）。下列各项中不影响射线照片细节影像不清晰度的是（）。渗透液中的溶剂应具有（）性能。A、近场区
B、扩散区#
C、非扩散区
D、盲区A、射线源尺寸
B、射线源到胶片距离#
C、X射线能量
- 当射线能量范围在1MeV-10MeV时,钢铁材料对射线的吸收起主导作用的是（）。A、光电效应
B、康普顿效应
C、汤姆逊效应
D、电子对生成效应#
- 脉冲波是指振动（）有限的波动。矩形晶片的声束指向角公式为（）。曝光过程中,试样或胶片偶然移动或使用焦距变小（）。A、波高
B、能量
C、持续时间#
D、波幅高度A、θ＝57λ/D
B、θ＝57λ/b
C、θ＝57λ/a
D、B和C都对#A
- 超声探伤中所谓缺陷的指示长度,指的是（）。当射线能量范围在1MeV-10MeV时,钢铁材料对射线的吸收起主导作用的是（）。为提高观片效果,观片室的环境硬尽可能地（）。A、采用当量试块比较法测定的结果
B、对大于声束的
- 同等规格的焊接接头,使用以下焊接方法,热影响区最小的是（）。磁粉探伤后,零件不需进行退磁的理由是（）。A、手工电弧焊
B、电渣焊
C、埋弧自动焊#
D、氧、乙炔气焊A、零件下道工序是热处理#
B、零件下道工序是垂直
- 未曝光的X射线胶片盒保存时应（）。周向曝光检验环焊缝时,像质计（）。A、平放
B、直立#
C、堆放
D、任意放置A、放置一只
B、在180°象限内各放1只
C、至少均匀放3只#
D、根据黑度要求而定
- 检测筒状工件时选择K值应满足（）。室外照相一般采用距离防护法,关于此法下述说法正确的是（）。专用于检漏的渗透材料选用（）最经济方便。A、r/D＜86%时,用K＝1的探头
B、r/D≤96%时,用K＝2的探头
C、r/D≤97.5%时,用
- AVG曲线图中,以（）作为横坐标；以波幅增益量作为纵坐标。A、波幅增益量
B、缺陷当量尺寸
C、距离#
D、以上都不对
- 按工艺特点对焊接进行分类,可分为（）。底片反差是指（）。A、熔焊
B、压焊
C、钎焊
D、以上都对#A、底片上相邻区域的曝光量差
B、底片上相邻区域的黑度差#
C、胶片特性曲线的r值
D、曝光曲线上的tgQ值
- 当探头距缺陷水平距离不变时,缺陷比探头尺寸小产生的信号幅度会发生起伏变化,这个区域称为（）。当改变透照电压时,衍射斑纹在射线照片上的影像一般（）。A、远场区
B、近场区#
C、过渡区
D、阴影区A、无变化
B、有明
- 连续宽束X射线透照试件,试件的厚度越大,则散射比越大,平均衰减系数（）。曝光过程中,与X射线胶片紧密接触的铅增感屏可提高底片黑度,其原因是（）。钴60发射路径上遇一1/2时厚铅块,剂量率会降低（）。A、越小#
B、越
- 当探头距缺陷水平距离不变时,缺陷比探头尺寸小产生的信号幅度会发生起伏变化,这个区域称为（）。用（）表示两个拟比声强的比值,再取以十为底的常用对数得到声强级。直探头从端部探测细棒状工件时,在底波后面出现的迟
- 焊接接头通常分为（）形式。钴60发射路径上遇一1/2时厚铅块,剂量率会降低（）。A、对接接头
B、角接接头
C、搭接接头和T形接头
D、以上都对#A、1/3
B、1/4
C、1/2#
D、3/4
- 超声探伤中所谓缺陷的指示长度,指的是（）。铅增感屏铅箔局部剥落,底片上表现为（）。下列（）灵敏度最高。A、采用当量试块比较法测定的结果
B、对大于声束的缺陷,采用底波对比而测得的结果
C、根据缺陷反射波高和探
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