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200#
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- 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。正确#
错误
- 对于发光二极管,其内量子效率比外量子效率小。正确#
错误
- 对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。正确#
错误
- CMOS电路与双极集成电路相比速度快。正确#
错误
- 同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。正确#
错误
- 半导体激光器的工作原理是受激发射。正确#
错误
- 标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。正确#
错误
- 对于一个PN结,如果反偏电压降低,耗尽区宽度将减小。正确#
错误
- 从电路原理受控源的角度本质上看,工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。正确#
错误
- 常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于性能要求很高或批量很大的产品,如存储器、微处理器等,一般采用可编程逻辑电路设计方法。正确#
错误
- 微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。正确#
错误
- SOC指的是系统芯片。正确#
错误
- 常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。正确#
错误
- 双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。正确#
错误
- 在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。正确#
错误
- EDA是计算机辅助测试的英文简称。正确#
错误
- 双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。正确#
错误
- 微电子技术的核心是集成电路,中央处理器是集成电路的标志性产品之一。正确#
错误
- 组合逻辑电路的输出状态只与当时的（）有关。输入状态
- 微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。正确#
错误
- 反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。迁移率
- 迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。电子和空穴
- 一般认为MOS集成电路功耗低、（）,宜用作数字集成电路。集成度高
- （）集成电路已成为集成电路的主流。CMOS
- 硅和锗都是Ⅳ族元素,它们具有（）结构。金刚石晶格
- MOSIC的缺点是（）。驱动能力较弱
- 晶体性质的基本特征之一是具有（）。方向性
- 非晶、（）、单晶是固体的三种基本类型。多晶
- 在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和（）为单位的。nm
- 本征半导体的导电能力很弱,热稳定性很（）。差
- 2000年,因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（）。基尔比
- 能量最高的是价电子所填充的能带,称为（）。价带
- 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。模拟电信号
- 双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。NPN
- 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。测试
- 集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。设计水平
- MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。CMOS
- 集成电路的特征尺寸有时也称线宽,通常是指集成电路中半导体器件的（）。最小尺度
- 半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。二极管
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