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半导体激光器的工作原理是受激发射。
组合逻辑电路的输出状态只与当时的()有关。
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在正常使用条件下,晶体管的发射结加正向小电压,称为()偏置,
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本征半导体的导电能力很弱,热稳定性很()。
从电路原理受控源的角度本质上看,工作在饱和区的MOS晶体管本质
能量最高的是价电子所填充的能带,称为()。
集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和()的主要指标
晶体性质的基本特征之一是具有()。
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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光
对于发光二极管,其内量子效率比外量子效率小。
对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。
CMOS电路与双极集成电路相比速度快。
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
半导体激光器的工作原理是受激发射。
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