正确答案: B

深度

题目:在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。

查看原题 查看所有试题

学习资料的答案和解析:

  • [单选题]通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。
  • 预淀积


  • [单选题]单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
  • 二氧化硅


  • [单选题]用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫()。
  • 溅射


  • [多选题]净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如()的沾污。
  • 颗粒

    金属

    有机分子

    静电释放(ESD)


  • 必典考试
    推荐下载科目: 集成电路制造工艺员(三级)题库
    @2019-2025 必典考网 www.51bdks.net 蜀ICP备2021000628号 川公网安备 51012202001360号