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正确答案:
B
深度
题目:在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。
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学习资料的答案和解析:
[单选题]通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。
预淀积
[单选题]单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
二氧化硅
[单选题]用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫()。
溅射
[多选题]净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如()的沾污。
颗粒
金属
有机分子
静电释放(ESD)
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下列可作为磷扩散源的是()。
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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使
人类的职业道德真正形成于()。
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
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早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
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