正确答案: BCD

蒸发 薄膜沉积 溅射

题目：（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

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[单选题]当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

硅-二氧化硅界面处的化学反应

[单选题]刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

光刻胶

[单选题]将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

自上而下

[单选题]由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。

几万伏