正确答案: D

场氧化层

题目：在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

查看原题 查看所有试题

学习资料的答案和解析：

[单选题]下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。

Na

[多选题]涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

进行去水烘烤以保证晶片干燥

在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好

刚刚处理好的晶片应立即涂胶

贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥

[单选题]我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效，阴树脂先失效，水呈（）性。

酸