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[单选题]晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为()。
正确答案 :
B
极小值
[单选题]当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为()。
正确答案 :
A
临界剂量
[单选题]下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗()。
正确答案 :
B
薄膜成长
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集成电路制造工艺员(三级)题库题库下载排行
下列可作为磷扩散源的是()。
集成电路制造工艺员(三级)题库2022历年考试试题及答案(4P)
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使
人类的职业道德真正形成于()。
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
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早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
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