正确答案:

题目：光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

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[单选题]位错的形成原因是（）。

位错就是由范性形变造成的

[单选题]在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）

A、干氧

[单选题]将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。

接触

[单选题]单相3线插座接线有严格规定（）

“左零”“右火”