正确答案: C

C．发射结正向偏置，集电结正向偏置

题目：晶体管工作在饱和区的条件是（）。

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[单选题]金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。

A．升高／升高

[单选题]关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。

B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质

[单选题]在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。

A．0.1～0.2V／0.3V

[单选题]用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性，红黑表笔分别接二极管的两个极，测其电阻，再调换表笔再测一次电阻，电阻（）的那一次，黑表笔接的是（）极。

D．大／阴或小／阳

[单选题]在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用（）挡，这是因为（）。

B．R×100／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏

[单选题]在桥式整流电路中，若有一只二极管极性接反，则会出现（）；若有一只二极管被击穿短路，则会出现（）。

D．烧毁电路／烧毁电路

[单选题]某桥式整流电路直接接有电阻负载，负载平均电流为90mA，整流电路输入的交流电压有效值为24V，系列关于选择整流二极管的参数（最大整流电流IDM、反向耐压值）最为合适的选项是（）。

B．100mA、50V