正确答案: C
C.发射结正向偏置,集电结正向偏置
题目:晶体管工作在饱和区的条件是()。
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学习资料的答案和解析:
[单选题]金属导体的电阻率随温度升高而();半导体的导电能力随温度升高而()。
A.升高/升高
[单选题]关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。
B.无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质
[单选题]在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
A.0.1~0.2V/0.3V
[单选题]用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性,红黑表笔分别接二极管的两个极,测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,电阻()的那一次,黑表笔接的是()极。
D.大/阴或小/阳
[单选题]在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用()挡,这是因为()。
B.R×100/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
[单选题]在桥式整流电路中,若有一只二极管极性接反,则会出现();若有一只二极管被击穿短路,则会出现()。
D.烧毁电路/烧毁电路
[单选题]某桥式整流电路直接接有电阻负载,负载平均电流为90mA,整流电路输入的交流电压有效值为24V,系列关于选择整流二极管的参数(最大整流电流IDM、反向耐压值)最为合适的选项是()。
B.100mA、50V