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正确答案:
ABCD
砷化氢 二硼化氢 四氟化硅 三氟化磷
题目:离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。
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学习资料的答案和解析:
[单选题]表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。
分凝系数
[多选题]下列哪些因素会影响临界注入量的大小:()。
注入离子的质量
靶的种类
注入温度
注入速度
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下列可作为磷扩散源的是()。
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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使
人类的职业道德真正形成于()。
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
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早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
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