正确答案: A

非晶层

题目：当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。

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学习资料的答案和解析：

[单选题]在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。

真空热平板传导法

[单选题]损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

能量淀积

[多选题]静电释放带来的问题有哪些（）。

芯片产生超过1A的峰值电流

栅氧化层击穿

吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面