正确答案: C

成品率损失

题目：沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

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[单选题]在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

光刻

[多选题]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

二氧化硅氮化硅

铝硅

[单选题]树脂的外形为（）的球状颗粒。

淡黄色或褐色