正确答案: A

正确

题目:位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。()

查看原题 查看所有试题

学习资料的答案和解析:

  • [单选题]二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
  • 选择


  • [单选题]将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。
  • 接触


  • 必典考试
    推荐下载科目: 半导体芯片制造中级工题库 半导体制造技术题库
    @2019-2025 必典考网 www.51bdks.net 蜀ICP备2021000628号 川公网安备 51012202001360号