[单选题]二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。

正确答案 ：A

降低

[单选题]He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

正确答案 ：B

快速扩散杂质

[多选题]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

正确答案 ：AB

光刻胶

衬底

[单选题]（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。

正确答案 ：C

溅射

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