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A
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题目:当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率().
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[单选题]Si中掺金的工艺主要用于制造()器件。
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在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。
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II-VI族化合物中的M空位Vm是()。
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列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是().
硅单晶的()是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的
X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。()
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