正确答案: ABCDE

ARC可以是硅的氮化物 可用干法刻蚀除去 ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 ARC膜也可以通过CVD的方法形成

题目：下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

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[单选题]下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。

烘烤可以减轻曝光中的驻波效应

[多选题]薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。

形成晶核

晶粒成长

晶粒凝结

缝道填补

沉积膜成长

[单选题]电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。

电子枪

[单选题]为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

18.3A