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正确答案:
D
溅射刻蚀
题目:铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。
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学习资料的答案和解析:
[多选题]在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
多层金属的介质层
多晶硅与金属之间的绝缘层
晶圆片上器件之间的隔离
[多选题]净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如()的沾污。
颗粒
金属
有机分子
静电释放(ESD)
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下列可作为磷扩散源的是()。
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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使
人类的职业道德真正形成于()。
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
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早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
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