正确答案: ABCDE

形成晶核 晶粒成长 晶粒凝结 缝道填补 沉积膜成长

题目：薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。

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学习资料的答案和解析：

[多选题]扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

内部的杂质分布

表面的导电类型

[单选题]He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

快速扩散杂质

[单选题]通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

预淀积

[单选题]降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

减小

[单选题]为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。

液氮冷阱

[多选题]铜与铝相比较，其性质有（）。

铜的电阻率比铝小

铝的抗电迁移能力较弱

铜可以在低温下淀积

[单选题]在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

单晶硅刻蚀

[多选题]晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

粒子扩散

从气体源通过强迫性的对流传送

化学反应

被表面吸附

[多选题]清洁处理主要使用的是（）。

水

有机溶剂

碱

酸

盐酸