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集成电路工艺原理题库
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正确答案:
A
正确
题目:氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。
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集成电路工艺原理题库题库下载排行
硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(
硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。
大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能
没有CMP,就不可能生产甚大规模集成电路芯片。
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
与干法刻蚀相比,湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,
快速热处理是一种小型的快速加热系统,带有辐射热和冷却源,通常
刻蚀是用()或()有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程
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集成电路工艺原理题库题库最新资料
大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发
侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明,并共享集成电路
世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。
硅片制造厂可分为六个独立的区域,各个区域的照明都采用同一种光
CD是指硅片上的最小特征尺寸。
集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简
CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。
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