正确答案: A

A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

题目：正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）

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学习资料的答案和解析：

[单选题]粉煤灰砖（JC239-2001）标准规定的粉煤灰砖不得用于长期受热（）℃以上、受急冷急热和有酸性介质的建筑部位的建筑部位。

B、200

[单选题]锚固端外露预应力筋的保护层厚度在正常环境中不小于（）

A、20mm

[多选题]以下关于砼轴心抗压强度试验加荷速度的描述符合标准规定的有（）。

A、＜C30强度等级的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPaB、≥C30且＜C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPaC、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPaD、A、B、C选项都对

[单选题]对纯金属而言，下列说法哪个是错误的（）

不会在恒温下结晶

[多选题]对于切制抗压试件法的测试步骤，以下哪些说法正确（）。

在选择切割线时，宜选取竖向灰缝上、下对齐的部位

应在拟切制试件上、下两端各钻2孔，并应将拟切制试件捆绑牢固

应将切割机的锯片（锯条）对准切割线，并垂直于墙面，然后应启动切割机，并应在砖墙上切出两条竖缝

切割过程中，切割机不得偏转和移位，并应使锯片（锯条）处于连续水冷却状态

[单选题]淬火和退火同一玻璃的密度相比较，（）