正确答案: A

A.10B.20C.5D.15

题目:将硅锭切割成硅片的过程中,多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为()μm。

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学习资料的答案和解析:

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  • 热斑效应


  • [单选题]考虑一个特殊的半导体样品,通过计算,已知少子辐射复合寿命为150μs,俄歇复合寿命为50μs,陷阱复合过程的寿命为25μs,假设没有其它的有效复合过程,那么该材料少子的净寿命是()
  • 15μs


  • [单选题]显示器的分辨率高低表示()。

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