[单选题]当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。

正确答案 ：C

t成正比

[单选题]由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

正确答案 ：B

选择性

[多选题]在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。

正确答案 ：ABCDE

电路图形结构的凹凸

尺寸大小

位置分布

高度

密集程度

[单选题]危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

正确答案 ：B

碱金属

[单选题]静电释放的英文简述为（）。

正确答案 ：C

ESD

[单选题]由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。

正确答案 ：D

几万伏

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