正确答案: A

A.变大，变小B.变小，变大C.变小，变小D.变大，变大

题目：杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

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[单选题]砌墙砖试验方法（GB/T2542-2003）标准中做抗折强度试验时，应以（）N/s的速度均匀加荷直至试件断裂。

D、50～150

[单选题]扁顶法实测墙体的受压弹性模量时，在完成墙体的受压工作应力测试后，当选用250³250mm扁顶时，开凿第二水平槽普通砖砌体两槽之间的距离应相隔（）砖。

7

[单选题]陶瓷的致命弱点在于（）。