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[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。
正确答案 :
C
10~40min
[多选题]关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是()。
正确答案 :
BCE
正胶的感光区域溶解
负胶的感光区域不溶解
负胶的非感光区域溶解
[单选题]在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。
正确答案 :
A
单晶硅刻蚀
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集成电路制造工艺员(三级)题库题库下载排行
下列可作为磷扩散源的是()。
集成电路制造工艺员(三级)题库2022历年考试试题及答案(4P)
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使
人类的职业道德真正形成于()。
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
集成电路制造工艺员题库2022集成电路制造工艺员(三级)题库考试试题下载(4Z)
集成电路制造工艺员(三级)题库2022历年考试试题(8J)
早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
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