[多选题]硅外延生长工艺包括（）。

正确答案 ：ABCD

衬底制备

原位HCl腐蚀

生长温度，生长压力，生长速度

尾气的处理

[单选题]将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。

正确答案 ：A

接触

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