正确答案: B

等离子体

题目：在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

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学习资料的答案和解析：

[单选题]He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

快速扩散杂质

[多选题]关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。

正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶

负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低

负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低

[单选题]损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

能量淀积

[单选题]（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

BCl3

[单选题]在磁分析器中常用（）分析磁铁。

扇形