正确答案: C

栅氧化层

题目：晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

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学习资料的答案和解析：

[单选题]在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

二氧化硅

[多选题]按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。

真空蒸发

离子束蒸发

电子束蒸发

[多选题]树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

80

40