正确答案: A

单晶硅刻蚀

题目：在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

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学习资料的答案和解析：

[单选题]表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

分凝系数

[单选题]在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。

四探针技术

[多选题]下列可作为磷扩散源的是（）。

磷钙玻璃

三氯氧磷

三氯化磷

磷烷

掺磷二氧化硅乳胶源

[多选题]涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

进行去水烘烤以保证晶片干燥

在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好

刚刚处理好的晶片应立即涂胶

贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥

[单选题]涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

软烤

[单选题]铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。

20~30nm