正确答案: A

1050～1200℃

题目：在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

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学习资料的答案和解析：

[多选题]下列可作为磷扩散源的是（）。

磷钙玻璃

三氯氧磷

三氯化磷

磷烷

掺磷二氧化硅乳胶源

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

10～40min

[多选题]关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。

正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶

负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低

负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低

[多选题]下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

ARC可以是硅的氮化物

可用干法刻蚀除去

ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成

ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层

ARC膜也可以通过CVD的方法形成

[多选题]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

光刻胶

衬底

[单选题]真空镀膜室内，在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板，用来（）。

控制蒸发的过程