[多选题]硅外延生长工艺包括（）。

正确答案 ：ABCD

衬底制备

原位HCl腐蚀

生长温度，生长压力，生长速度

尾气的处理

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

正确答案 ：B

剂量

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