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- CIGS太阳能电池,可以表现出极其（）的性能,不存在非晶硅太阳能电池所看到的光致衰退现象关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是（）TTL逻辑或门在使用时,如果有多余的输入端不用,下列接法正确的是（）。RS-232串行
- 与硅系薄膜不同,由于CIGS是（）的材料,因此不能用激光加工,可用机械扫描。目前大都数单晶和多晶太阳能电池设计使用的年限是（）年。实现有源逆变的条件可总结如下（）。根据安全生产法规定,从业人员有权（）设备基础
- 在CIGS光吸收层上,用（）可以产生Cds。功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。单结晶体管内部有（）个PN结。溶液驱动信号的前后沿陡峭#
驱动信号的电压应高于开启电压#
信号电压应低于栅源击穿电压#
截止时应加小于栅源
- CIGS系太阳能电池的制造方法中,广泛使用（）；（）,还有喷雾法、镀金法。太阳是距离地球最近的恒星,由炽热气体构成的一个巨大球体,表面温度接近5800K,主要由（）（约占80%）和（）（约占19%）组成。关于反向饱和电流
- （）是1974年当时在贝尔研究所工作的S。WAGNER首次提出其有可能作为太阳能电池时的定义。太阳能光伏发电系统的最核心的器件是（）。设VW10中存有数据123.8,现执行以下指令“ROUNDVW10”,则指令的执行结果是（）一般用
- 在初级阶段,（110）有优先配位性,结晶尺寸为（）左右,（）、正空穴漂移移动度约为5cm/s.v左右。当控制器对蓄电池进行充放电控制时,要求控制器具有输入充满断开和恢复接通的功能。如对12V密封型铅商蓄电池控制时,其恢
- 用乙烯作为碳来源时的硼添加引起的光导率的回升效果,发现其结果（）。在西门子PLC中,VB属于（）。三相三线交流调压电路触发必须符合（）规律。逆变电路为了保证系统能够可靠换流,安全储备时间必须大于晶闸管的（）。
- 在CIGS光吸收层上,用（）成长法可以产生CDS厚度为70nm。一个独立光伏系统,已知系统电压48V,蓄电池的标称电压为12V,那么需串联的蓄电池数量为（）。多谐振荡器是一种（）。将硅锭切割成硅片的过程中,多线切割对硅片造
- 即使a-Si太阳能电池的p层的厚度只有7nm,依然有（）的光被吸收,为了将此吸再降低,必须提高p层的（）。180°导电型电压型三相桥式逆变电路,其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行（）。17%；透明度A.同一相B.
- Carlson等人利用二极管没有的本征层显示出的（）,用白金的短键位势垒在i层中形成扩散电位,确认了光电效应。CPU224XPCN型PLC本机有几个通讯端口（）。定时器的地址编号范围为（）,它们的分辨率和定时范围各部相同,用
- CIS的禁带宽度为（）,是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值导通后二极管两端电压变化很小,锗管约为（）。能用于整流的半导体器件有（）。防止电压上升率过大造成误导通的实用办法,是在每个桥臂串一个（）。1
- CIS系用Cu/In比进行控制,也就是（）控制,才有可能控制pn.。下列输出模块既可以接直流负载又可以接交流负载的是（）。（）的含义是指在控制系统中完成数据采集与控制过程的物理设备,如：可编程控制（PLC）、智能模块
- 在可视光区域中,吸收系数可高达（）,厚度为1µm就可能充分地吸收太阳光。单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）下列哪个是属于报表采集按钮的动作脚本。（）10-5/cm表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
- 如果用现有的材料要想提高特性的话,可以将来（）不同的2或3层复数电池片进行串联型结构也叫做混合型、蜜月型电池片。男性患者,75岁,以“眩晕、呕吐、言语不清20小时”为主诉来诊。查体：构音障碍、吞咽困难,右眼裂小、
- 光吸收系数极大,在可视光区域中,吸收系数可高达（）,厚度为1μm就可能充分吸收太阳光。组合逻辑电路中的竞争冒险现象是由于（）引起的。下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是（）。TTL集成电路和CMOS集成电路对输
- 在CIS中,多数存在着（）和反向轨道等因有缺陷。磷硅玻璃的主要组成是（）和（）。晶闸管逆变电路可采用的换流方式有（）。空穴A.P,SiB.P2O5,SiC.P2O5,O2D.P,SiO2A.负载换流B.脉冲强迫换流C.器件换流D.电网电压换流#
- 为了严密地分析a-Si太阳能电池的工作解析的话,必须要对（）三个量的非线性结合的电子及空穴输送方程式同时进行求解。某个仓库装有若干个防盗报警开关,任意触动任一开关,这种逻辑关系为（）。SiHCl3还原法制备晶体硅,
- a-Si太阳能电池是大面积制膜,但透明导电层的阻力引起的损失使电池无法得到（）,因此有必要分割为复数电池片,再进行电气结合。我们的组件要保证使用（）,功率衰减不超过20％。恒流驱动电路中,电容C的作用是（）。高的
- Mo和Se的反应活性高,Mo/CIS界面状态对膜的（）有很大影响。当太阳高度角为30°时,由Lane经验公式求水平面上的太阳直射辐射度为（）边沿触发器中,在CP时钟的作用下,具有置0、置1、保持、翻转四种功能的触发器是（）关
- 为了保持优良的结晶性能,提高制膜速度,除了要采用（）；（）投入外,功耗20W；其余9小时为接收等候时间,则负载每天耗电量为（）。在西门子PLC中,VW属于（）。根据执行条件,应用程序动作脚本有（）三种。电压型逆变电
- 多晶硅表面的结晶面是多重的,因此不能像单晶硅基片那样,使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。用量限为300V的电压表去测量电压为250V的某电路上的电压,要求测量的相对误差不大于±1.5%,则下列电压表等级最合适的是
- 非晶半导体材料,是失去了像结晶型那长距离晶格结构后的材料,其原子周围的化学键状态与结晶时保持（）的状态。光和物质的相互作用有吸收、（）、透射等现象。光伏发电实训系统KNT__SPV02在力控曲线界面中可利用实时曲
- 对于a-Si：H系,其物性上的最大特点是（）通常为1.7—1.8ev,比结晶要宽,结构混乱引起的光学跃迁动量守恒定律的缓和作用,使其在可见光范围内具有相当大的光吸收系数。保护接零系统叫做（）。世界上第一台PLC生产于（）
- 在a-Si：H太阳能电池中,此低光吸收和（）,可以作为电极或者窗口一侧的结合层来利用。蓄电池的容量就是蓄电池的蓄电能力,标志符号为C,通常用以下哪个单位来表征蓄电池容量（）。ROHS的定义为（）高光导电率安培
伏特
- 干式法由于应力自由,因此即可以适用于切割大面积基片,又可以适用于（）的过程。高斜率
- 目前正在广泛研究的有化学气相沉积法、（）、固相结晶、等。西门子S7-200系列中CPU226共有40个数字量I/O,其中输出端子有（）个。液相外延A.10B.16C.24D.30
- 作为太阳能电池材料的评价最有效的方法,叫（）,有可能测定太阳能电池在环境中的两极性扩散长度。固定光栅法
- a-Si：H作为四面体结合的非晶体,是由（）束缚结构构成的,为了缓和坚固的电路内部应力,易引发不可见光能带等的结构缺陷。测量太阳电池的电学性能可以归结为测量它的（）。PLC设计规范中不是RS232通讯的距离是多少（）
- a-Si：H以及合金材料,用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。常用的反并联可逆电路有：（）。等离子CVDA.逻辑无环流B.逻辑有环流C.有环流D.错位无环流#
- 产生等离子体的电力条件是（）,无线电频率可从射频到VHF、微波范围内多种多样的频率,但目前射频等离子体CVD最普及。太阳能电池模板的种类有起直线型、玻璃包装开型和（）。触电的危险程度与人体内阻有关；在不同的状
- 微晶硅的定义并不是那么固定的,在（）附近的低温及非热平衡过程中生长,尺寸为由500nm以下的结晶粒群构成的结晶,一般可以作为非晶不均质混合材料。在地球大气层之外,地球与太阳平均距离处,垂直于太阳光方向的单位面积
- 从结晶的角度来讲,在不介入声波的（）中,动量也就是波向k的守恒是必要条件。直接跃迁
- 结晶硅具有（）型能带结构,因此吸收系数较小,有必要进行封闭,活性层的厚度为数µm的薄膜太阳能电池也可得到高的转换效率。太阳能光伏发电系统中,太阳电池组件表面被污物遮盖,会影响整个太阳电池方阵所发出的电力,从而
- 在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP,将得到的灯光用（）,使多晶硅薄膜再结晶化。高级工指导电源调试时,应检查通电后有无打火、冒烟现象,有无异味,变压器是否（）。太阳能电池模板的种类有起直线型、玻璃包装开型和（）
- 一般的太阳能电池的模板,为了提高填充率,需尽量减少（）和电池片之间的间隔,而采光型太阳能电池的模板却相反,在电池片和模板周围开数CM的缝隙,由此处让太阳光透过。定时器预设值PT采用的寻址方式是（）。太阳能光伏
- 由于有漏电电流流动,使所谓的反向饱和电流密度（）,从而减少了开路电压。潮湿和有腐蚀气体的场所内明敷或埋地,一般采用管壁较厚的（）。变大A、硬塑料管
B、电线管
C、软塑料管
D、白铁管#
- 在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学（）生产氮化硅膜是历来常用的方法。计数器的地址编号范围为（）。气相沉积法A.C0~C255B.C1~C256C.C0~C511D.C1~C512#
- 电解液的高度微细喷射到铸膜上,喷射流中夹有（）。喷射流到了光纤维的作用,激光束在铸模上与电解液一同被切照射按照能带结构理论,本征半导体的能带可以分为（）个。晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。激光束A.1
- 目前世界上,用铸造法制造基片得到的小面积电池片的最高转换效率可达到（）。在西门子PLC中,VD属于（）。PLC的RS485专用通讯模块的通讯距离是多少（）m。19.8%A.位B.字节C.字D.双字A.1300B.200C.500D.15
- 干式法由于应力自由,因此既可以适用于切割（）基片,我们称之为黑体。此时物体的吸收率A,反射率R和透射率D的数值分别为（）。大面积A.A=0,R=D=1B.A=1,R=D=0C.A=1,R=1,D=0D.A=1,R=0,D=1
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