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- 太阳能电手表的太阳能电池是（）太阳能电池。且太阳能电池提供的电流是与（）成正比。任一电路,在任意时刻,某一回路中的电压代数和为0,称之为（）。梯形图编程的基本规则中,下列说法不对的是（）。功率晶体管GTR从高
- （）通常是把反射式的物质设置在道路旁边,对于重要性的标识,为了提高识别性,由炽热气体构成的一个巨大球体,中心温度约为10的7次方K,表面温度接近5800K,一般采用管壁较厚的（）。某个仓库装有若干个防盗报警开关,任意
- 太阳能电池与交通有关的应用,最初以指引方向的（）为主。太阳能电池在交通上的应用,有代表性的是自发光式道路路标和障碍物指示灯等,密封式的蓄电池以及电动双叠成电容等作为蓄电器使用。典型的实用化模板的性能标称
- 新能源导入目标主要有（）和（）领域。硅材料的纯度越高,所制作的太阳能电池的转换效率也就越高,太阳能级的多晶硅的纯度要达到（）个9以上。发电领域；热利用A.3B.6C.9D.12
- 以楼房为代表的建筑物中,具有建材功能且有良好外形的、有示范性的太阳能电池的总称,叫做（）楼房用建材一体型太阳能电池
- 具有代表性的有将（）的性能标准和欧洲的电气安全标准（）相结合的德国的TUV安全认证书和根据美国产生的UL1703安全性认证。数字电压表的读数误差通常来源于（）。西门子S7-200系列中CPU226共有40个数字量I/O,其中输
- 从植物以及土壤层扩散出来的水分,可以吸收蒸发潜热,因此可以防止产生（）。在大同地区（北纬40.1°,东京113.3°）建一太阳能光伏电站,若所用太阳能电池板方阵高度为2m,方阵最佳倾斜角为45°,则两排方阵之间的最小距离为
- 在太阳能电池制造技术的开发中,主要是以将（）与屋顶材料、壁材料等一体化、低成本化为目的,主要集中在创意性优秀的建材一体化模板的开发方面。太阳能光伏发电系统中（）指在电网失电情况下,发电设备仍作为孤立电源
- 采光型电池片由于吸收一部分太阳光,因此作为有吸收热辐射线的玻璃使用,可以达到使内部（）的作用。SET指令可使操作保持为ON状态,则用来使操作保持为OFF状态指令是（）modbus通讯协议的仪表设备,厂家会提供一个与命令
- MBGE法成为多晶的理由是,有（）得到的金字塔形的山和谷的距离只有约1µm左右,因此可以认为在结晶核和生长层之间不形成温度差。示波器观察波形,线条太粗时应调节（）。在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）
- 在太阳能电池制造技术的开发中,作为主流的结晶系太阳能电池有（）和薄膜多晶太阳能电池等。力控在脚本语句用引用对象正确的写法是（）。容积系太阳能电池A.$对象名B.@对象名C.#对象名D.%对象名
- 关于太阳能电池用模板,通常用（）来代替原来的放射线防护玻璃。塑料薄膜
- （）既不会产生有毒气体也没有废弃物,也不需要冷水,因此常设置在内陆地区电力需求大的地域附近。在以接地电流入地点为圆心,（）m为半径范围内行走的人,两脚之间承受跨步电压。用量限为300V的电压表去测量电压为250V
- 用半导体的微细加工技术,在非晶基片上通过使用微细的表面结构,考察了单晶成长方法,并命名为（）请判断以下哪个不属于电路组合逻辑电路（）。中断程序标号指令的操作码是（）。光伏电池组件电学特性测试中不必用到的
- 太阳能电池基片的厚度GaAs为（）,a-Si为（）。同一电容器其端电压变化越慢,则其电流绝对值（）。一般情况下,P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。关于为什么要执行RoHS指令的理由,以下说法正确的是（）2µm；1µm
- 在结晶系中,多晶硅电池片的厚度为（）角,单晶硅电池片的厚度为（）角。步进电机的速度取决于（）。S7-200系列PLC中,中断分离指令的操作码是（）。在S7-200PLC中,定时器T0属于（）定时器。MCT是一种新型电力电子器件,
- 半导体电池有（）和FET两种类型。焊接前应对设备运转情况、待焊接印制电路板的质量及（）情况进行检查。TTL集成电路的电源电压值一般为（）V。双极晶体管插件
钎料#
焊剂
材料A.5VB.10VC.-5VD.-10V#
- 21世纪太阳光发电技术,在用途方面对（）；（）、轻量型太阳能电池、AC模板等太阳能电池的多功能化、色素增感等新型太阳能电池也会有更高的期望。面积为10cm2的硅太阳能电池在100mw/cm2光照下,开路电压为600mV,短路电
- 微波管有（）；（）和陀螺管。一般计数器的计数频率受PLC扫描周期的影响,不可太高,高频信号的计数可以用指定的高速计数器（）。按照能带结构理论,本征半导体的能带可以分为（）个。组件在层压后应冷却（）最合适克莱
- 楼房建材一体型太阳光发电系统的模板形式有（）；（）、强化玻璃合成型等。左移或右移位指令的移位结果为零,则标志位（）置1。功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。普通型、屋顶材料一体型A.SM1.0B.SM1.1C.SM1.2D.SM1
- 宇宙中的入射能量为（）被称作太阳常数。44C2--A型电流表,型号“C”代表（）。所谓真实的I/O连接项点数是指（）。显示器的分辨率高低表示（）。1353w/㎡磁电系#
电磁系
电动系
感应系A.物理接线数量B.通讯线数量C.软件
- 最近,使用（）CIGS太阳能电池的开发正在活跃进行中。任一电路,在任意时刻,某一回路中的电压代数和为0,称之为（）。用量限为300V的电压表去测量电压为250V的某电路上的电压,要求测量的相对误差不大于±1.5%,则下列电压
- 由氧化物半导体和色素进行组合,可以制造出（）不同的多种多样的色素增感型太阳能电池。自动化焊接系统一般不用于（）的焊接。目前已被实用化的太阳能电池中98%使用的是（）材料。定宽调频控制方式中,导通比Kt的改变
- 自（）瑞士格桑理工大学的教授开发出转换效率为7.9%的新型色素增感型太多是能电池被叫做（）。自动化焊接系统一般不用于（）的焊接。功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。1991年；格雷尔电池集成电路
超小型元器件
复
- 目前报道的色素增感型太阳能电池的最高转换效率是使用（）；（）及黑色素的TiO2色素增感性太阳能电池,转换效率为。高级工指导调试工作的程序不包括（）。硅具有金属光泽,不溶于水,但能溶于（）中。N3色素、N719色素
- 色素增感型太阳能电池的发电原理是利用与（）类似的电子移动方式的发电机械装置进行发电的。常用的UPS电源有（）等几种。叶绿素进行光感应电子移动机理A.在线式B.后备式C.在线互动式D.静态式#
- CIGS系太最能电池是以（）为特征。春分日时,太阳升起和降落的方位角分别为（）高转换效率A、-90.11°,90.11°
B、-89.89°,89.89°
C、-90°,90°#
D、无法确定,与纬度有关系
- 目前在来锈钢基片上形成的电池片可得到（）的转换率,而在聚合物上仅为（）典型的实用化模板的性能标称开路电压是（）。下列导体色标,表示接地线的颜色是（）。在西门子PLC中,VB属于（）。目前大都数单晶和多晶太阳能
- 将溶液生长Zns用于缓冲层的电池片得到了接近（）的转换率。在衡量太阳电池输出特性参数中,表征最大输出功率与太阳电池短路电流和开路电压乘积比值的是（）。下列编程语言不属于西门子S7-200的是（）。通过MPI（RS485
- CIGS具有优良的（）,极有可能成为宇宙空间太阳能材料。XFG-7型信号发生器的主振级产生的是（）。下面属于电磁系仪表技术特性的是（）。TTL数字集成电路来说在使用中应注意到（）。PLC设计规范中不是RS232通讯的距离
- 构成色素增感型太阳能电池的（）等无机氧化物及色素的原材料硅比金属价格便宜其制造方法可以用,比较简单。光伏电池组件电学特性测试中不必用到的设备是（）。变频调速系统一般可分为（）。二氧化钛A.气压表B.电流表C
- 为了实现串联太阳能电池,有必要对开以迟缓的（）的材料的高品质加快进程。工程管理器（ProjectManager）用于工程管理包括用于创建、删除、（）、选择工程等。普通的单相半控桥整流装置中一共享了（）晶闸管。禁带宽
- 硒化法主要用于（）的制造。（）是一种化学物品,在操作中,需佩戴手套,避免污染。若AC0的值为11223344,则执行MOVBAC0,VB200后,VB200的值为（）下列全控型电力电子器件中属于双极型器件有（）。大面积模板EVA#
LCD
ABC
- CIGS模板的转换率一般为（）左右。下列关于232、485的描述正确的是（）。10%A.都是串行数据接口标准B.他们传输距离一致C.232是3线制,485是2线制D.都属于半双工传输#
- Cds是重要的效果是在于（）内部形成的。可关断晶闸管GTO的门极电路由（）组成。下列关于232、485的描述正确的是（）。下列传输速率不属于RS-232的是（）波特。电力场效应管适用于（）容量的设备。pn结A.门极开通电路
- 目前,小面积电池片的转换率已达到大于（）的程度,而大面积模板的转换率为12%~14%。18%
- Zno是用（）和有机金属气相生长形成的。在以接地电流入地点为圆心,（）m为半径范围内行走的人,两脚之间承受跨步电压。硅材料的纯度越高,所制作的太阳能电池的转换效率也就越高,太阳能级的多晶硅的纯度要达到（）个9
- 在测定CIGS的太阳能电池时,常采用经过（）左右照射后再进行性能评价的方法选择电流表量程时,一般把被测量范围选择在仪表标度尺满刻度的（）。码元率的单位是（）。30minA.起始段B.中间段C.任意段D.三分之二以上范围
- 在制造CIGA薄膜太阳能电池的方法中,使用的是（）；（）。用于太阳能电池半导体的材料三种形式中晶粒之间存在边界的是（）。能用于整流的半导体器件有（）。蒸镀法、硒化法A.多晶体B.单晶体C.非晶体D.以上都是#A.二极
- 为了实现串联结构,有必要在部开发禁带宽度更广的（）。常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。p型透明导电膜A.1.12B.2.14C.1.42D.0.92#
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