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- 力控R监控组态软件中,在整个工程启动时执行一次、关闭工程时执行一次或者在运行期间周期执行的脚本是（）。在单片焊接时应从栅线的第几根焊起（）电磁系测量机构线圈的偏转将使（）产生反作用力矩。在S7-200PLC中,定
- 在MCGS嵌入版工作台的“运行策略”窗口页中,选中指定的策略块,对其进行属性的设置；下列设置“策略”属性方法错误的操作是（）。通用示波器的示波管采用（）偏转系统。下列哪项属于字节寻址（）。硅具有金属光泽,不溶于
- （）是组态软件的一种内置程序语言,提供了大量的函数和逻辑、算术运算符供使用者调用,以扩充组态软件的处理能力,增强其功能。实时数据库
通讯协议
脚本#
控件
- 通过MPI（RS485与西门子S7-300、S7-400系列PLC联系时,在不加RS485中继器时最远可以传输（）米。A.20B.50C.100D.200
- 力控用（）控件能做两个变量的关系。实数开方指令的梯形图操作码是（）。只能用复位指令进行复位操作的定时器是（）。以下不属于太阳能特点的是（）。力控在脚本语句用引用对象正确的写法是（）。使用功率MOSFET时要
- 在太阳能光伏发电系统中,最常使用的储能元件是下列哪种（）。太阳能电池主要构成元素都包括表面保护材料、填充材料、（）、框架。某个仓库装有若干个防盗报警开关,任意触动任一开关,报警系统均报警,这种逻辑关系为（
- PLC程序中,哪种输入按钮不能用触摸屏的软件按钮来替代。（）TTL集成电路的电源电压值一般为（）V。XFG-7型信号发生器的主振级产生的是（）。A.急停按钮B.数值输入按钮C.数值显示按钮D.手动按钮#A.5VB.10VC.-5VD.-10V
- 标准设计的蓄电池工作电压为12V,其恢复连接电压值一般为13.7V,充满断开电压一般约为（）。太阳能电池模板的种类有起直线型、玻璃包装开型和（）。I/O驱动程序（I/OServer）负责力控与控制设备的通信,它将I/O设备寄存
- modbus通讯协议的仪表设备,厂家会提供一个与命令对应的地址表,按着这个地址表在力控里面设置偏移地址。需要主意的是,力控中的地址偏移是从（）开始。A.3B.2C.1D.0
- 动作脚本类型有（）两种。对于模拟量压力传感器传来的电信号必须通过（）模块和PLC相连。移位指令的最后一次移出位保存在标志位（）中。以下不属于太阳能特点的是（）。具有储能功能的电子元件有（）。A.对象动作脚
- 太阳能光伏发电系统应用的基本形式可分为两类,其分别为（）太阳能光伏发电系统的最核心的器件是（）。西门子S7-200系列中CPU226最多可带（）个扩展模块。电池片表面的镀膜厚度是利用光学中的（）原理来减少反射。在
- 码元率的单位是（）。下列属于光伏控制器应具有以下基本功能的是（）。PLC设计规范中RS232通讯的距离是多少（）m。A.波特/秒B.比特C.波特D.比特/秒#控制温度
控制湿度
提高充电效率
防止蓄电池过放#A.1300B.200C.30D
- 下列（）通讯方案不能实现力控与西门子S7300PLC通讯。世界上第一台PLC生产于（）。按照能带结构理论,本征半导体的能带可以分为（）个。A.MPI协议通讯B.MVB协议通讯C.以太网通讯D.S7协议通讯A.1968年德国B.1967年日本
- 瞬间过电压也是瞬时的尖峰电压,也用（）加以保护。阻容吸收电路#
电容接地
阀式避雷器
非线性电阻浪涌吸收器
- 作为安全管理措施,在开发系统参数中设置了“禁止退出”、“禁止Alt”和“（）”。180°导电型电压型三相桥式逆变电路,其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行（）。A.禁止关机B.禁止Alt+F4C.禁止TabD.禁止Ctrl+Alt
- 对模拟量I/O点进行组态时,如果选中“量程变换”开关,那么其PV参数值和采集的数据之间的关系为：（）。示波器观察波形,线条太粗时应调节（）。作为安全管理措施,在开发系统参数中设置了“禁止退出”、“禁止Alt”和“（）”。
- 力控在脚本语句用引用对象正确的写法是（）。对模拟量I/O点进行组态时,如果选中“量程变换”开关,那么其PV参数值和采集的数据之间的关系为：（）。模拟式电压表中应用较为普遍的交流—直流变换器是（）。A.$对象名B.@对
- 评价太阳能电池优劣的内部参数是（）。一般用来作为铅蓄电池的阳极的物质是（）。能用于整流的半导体器件有（）。恒流驱动电路中,电容C的作用是（）。A.多数载流子B.少数载流子C.填充因子D.电子空穴对A.PbO2B.PbC.Ni
- 在触摸屏中实现指示灯显示,应将指示灯对应PLC内部的（）。通过控制多晶硅电池表面氮化硅的厚度可以使电池表面呈现不同的色彩,其中厚度为210nm的显示的颜色为（）。可采用二氧化硅和碳作为原材料,在大型电弧炉中进行
- 网络通信程序（NetClient/NetServer）采用（）通信协议,可利用Intranet/Internet实现不同网络节点上力控之间的数据通信,可以实现力控软件的高效率通信。一般通用的变频器接到电动机端子的接线柱标识为（）。使用功率
- 一般用来作为铅蓄电池的阳极的物质是（）。下列哪些项目不需要层压工序检查（）光伏电池组件电学特性测试中不必用到的设备是（）。A.PbO2B.PbC.NiD.PbSO4组件内部垃圾
TPT移位,未盖住玻璃,TPT划伤
组件内气泡,碎片
- 触摸屏要实现换画面时,必须指定（）。太阳能光伏发电系统的最核心的器件是（）。可关断晶闸管GTO的门极电路由（）组成。A.当前画面编号B.目标画面编号C.无所谓D.视情况而定控制器
逆变器
太阳电池#
蓄电池A.门极开通
- 某监控系统组态了4个用户,用户名分别为“aaa”、“bbb”、“ccc”和“ddd”,他们的用户级别分别为“操作工级”、“班长级”、“工程师级”和“系统管理员级”；且在定义中间变量Var时设置其安全级别为“班长级”。试问：在运行系统中,
- 对模拟量I/O点进行组态时,如果选中“量程变换”、“开平方”和“分段线性化”三个开关,75岁,右侧面部及左半身痛觉减退,发生垂直移动的称为（）。数据连接是确定点参数值的数据来源的过程。力控数据库正是通过数据连接建立
- 保护接零系统叫做（）。特殊标志位（）可产生占空比为50%,周期为1s的脉冲串,称为秒脉冲。A.TN供电系统B.TT供电系统C.IT供电系统D.重复接地系统#A.SM0.0B.SM0.1C.SM0.4D.SM0.5
- 在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的（）向P区运动.。以下不是常用的电工仪表的是（）。S7-200系列PLC中,中断事件的编号范围是（）。在S7-200的编程语言中,用户可以选用梯形图、功能
- 作为半导体最基本材料的硅,负载应接成（）。力控支持使用间接变量作为数组使用,它是一个一维数组,7,4D.2,7,516.07%#
15.31%
16.92%
14.83%与#
或
或非
与或A.星形有中性线B.星形无中性线C.三角形D.星形有中性线或三
- 太阳能光伏电池的开路电压与光强的关系是（）。蓄电池放电时输出的电量与充电时输入的电量之比称为容量（）。通过控制多晶硅电池表面氮化硅的厚度可以使电池表面呈现不同的色彩,其中厚度为210nm的显示的颜色为（）。
- 层压完成的组件不要马上移动的主要原因是（）。在下列电流路径中,最危险的是（）。梯形图编程的基本规则中,下列说法不对的是（）。MM440变频器要使操作面板有效,应设参数（）。恒流驱动电路中接上反偏驱动电路的主要
- 按照能带结构理论,本征半导体的能带可以分为（）个。工厂中使用的动力电电压为380V,这里380V是指（）。电工仪器仪表开机后,一般要（）后再正常工作。用于太阳能电池半导体的材料三种形式中晶粒之间存在边界的是（）
- 非晶太阳能电池内部进行光电转换的层是在（）层。按钮中控制系统中的作用是（）。A.PB.IC.ND.P表面A.发布命令B.进行保护C.通断电路D.计量控制#
- 在硅片的抛光过程中,下列因素中不是影响粗抛的主要因素是（）。下列输出模块只可以接直流负载的是（）。按照能带结构理论,本征半导体的能带可以分为（）个。双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有（）电极。频率测
- 用于太阳能电池半导体的材料三种形式中晶粒之间存在边界的是（）。太阳电池是利用半导体（）的半导体器件。人体电阻简单情况下取（）考虑。某施密特触发器的上限阀值电压为1.7V,下限阀值电压为0.9V,此施密特触发器的
- 一个太阳能电池单体只能产生约0.5V的电压,一般一个太阳能电池组件上,太阳能电池单体的标准数量是（）片。按钮中控制系统中的作用是（）。三联件由空气过滤器、（）、油雾器组成。A.12B.24C.30D.36A.发布命令B.进行保
- P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。S7-200系列PLC继电器类型输出时每个公共点的额定电流是（）。对模拟量I/O点进行组态时,再将开平方的结果进行分段线性化,将分段线性化的结果作为PV参数的值。B.首先将采集数
- 目前大都数单晶和多晶太阳能电池设计使用的年限是（）年。降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms,则开通时间Tab=（）。（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使
- 下列属于光伏控制器应具有以下基本功能的是（）。控制温度
控制湿度
提高充电效率
防止蓄电池过放#
- 评价太阳能电池优劣的内部参数是（）。保护接零系统叫做（）。整流变压器不仅能使整流电路与电网隔离,还可以通过合理选择U2（）。A.多数载流子B.少数载流子C.填充因子D.电子空穴对A.TN供电系统B.TT供电系统C.IT供电
- 以下不属于太阳能特点的是（）。产品的主要技术指标检测包括外观检查、（）测定、绝缘强度和耐压等指标检测等。下面哪一项不属于SiHCl3的提纯的方法是（）。可控硅触发电路按同步电压的型式不同分为（）。瞬间过电压
- 常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A.1.12B.2.14C.1.42D.0.92#
川公网安备 51012202001360号