在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、光刻胶、单晶硅(single crystal silicon)、氟化氢(hydrogen fluoride)、离子注入(ion implantation)、平整度(smoothness)、外部环境(external environment)、多晶硅(polysilicon)、工作中、表面浓度(surface concentration)

[单选题]在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

A. 长度
B. 深度
C. 宽度
D. 表面平整度

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[单选题]通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

A. 再分布
B. 等表面浓度^{(surface concentration)}扩散
C. 预淀积
D. 等总掺杂剂量扩散

[单选题]单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

A. 氮化硅
B. 二氧化硅
C. 光刻胶
D. 多晶硅^{(polysilicon)}

[单选题]用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。

A. 蒸镀
B. 离子注入
C. 溅射
D. 沉积

[多选题]净化室将硅片制造设备与外部环境^{(external environment)}隔离，免受诸如（）的沾污。

A. 颗粒
B. 金属
C. 有机分子
D. 静电释放（ESD）
E. 水

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