（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

【名词&注释】

去离子水(deionized water)、自上而下、自下而上(from below)、有机玻璃(pmma)、主要原因(main cause)、圆柱形(cylindrical)、聚氯乙稀、化学作用(chemical action)、自右而左、自左而右

[多选题]（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

A. 薄膜成长
B. 蒸发
C. 薄膜沉积
D. 溅射
E. 以上都正确

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学习资料：

[单选题]当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

A. 温度
B. 硅-二氧化硅界面处的化学反应
C. 氧的扩散速率
D. 压力

[单选题]刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用^{(chemical action)}或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A. 二氧化硅
B. 氮化硅
C. 光刻胶
D. 去离子水

[单选题]将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。

A. 自上而下
B. 自下而上
C. 自左而右
D. 自右而左

[单选题]由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。

A. 几伏
B. 几十伏
C. 几百伏
D. 几万伏

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