下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

【名词&注释】

铝合金(aluminum alloy)、单晶硅(single crystal silicon)、周围环境(surrounding environment)、电阻损耗(wattful loss)、多晶硅刻蚀、氮化硅刻蚀(si 3 n 4 etching)

[多选题]下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

A. CF4
B. BCl3
C. Cl2
D. F2
E. CHF3

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学习资料：

[单选题]在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A. 单晶硅刻蚀
B. 多晶硅刻蚀
C. 二氧化硅刻蚀
D. 氮化硅刻蚀^{(si 3 n 4 etching)}

[多选题]一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。

A. 产生一个离子并导向靶
B. 被轰击的原子向硅晶片运动
C. 离子把靶上的原子轰出来
D. 经过加速电场加速
E. 原子在硅晶片表面凝结

[单选题]电流通过导线时，在导线里因电阻损耗而产生热量，导线的温度就会升高。导线的温度与下列哪项因素无关（）。

A. 通过的电流值
B. 周围环境的温度
C. 散热条件
D. 导线长度

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