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2022集成电路制造工艺员(三级)题库模拟冲刺试卷185

来源: 必典考网    发布:2022-07-05     [手机版]    
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必典考网发布2022集成电路制造工艺员(三级)题库模拟冲刺试卷185,更多集成电路制造工艺员(三级)题库的模拟考试请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [单选题]局域网中使用中继器的作用是()。

A. 可以实现两个以上同类网络的联接
B. 可以实现异种网络的互连
C. 实现信号的收集、缓冲及格式的变换
D. 实现传递信号的放大和整形


2. [单选题]干氧氧化(dry oxidation)中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。

A. 稍高于
B. 大大于
C. 等于
D. 没有要求


3. [多选题]解决氧化层中的钠离子沾污的方法有()。

A. 加强工艺操作
B. 加强人体和环境卫生
C. 使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D. 采用HCl氧化工艺
E. 硅片清洗后,要充分烘干,表面无水迹


4. [单选题]在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用()测量。

A. SIMS技术
B. 扩展电阻技术(spreading resistance technique)
C. 微分电导率技术
D. 四探针技术


5. [单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。

A. 4~6h
B. 50min~2h
C. 10~40min
D. 5~10min


6. [多选题]半导体芯片生产中,离子注入主要是用来()。

A. 氧化
B. 改变导电类型
C. 涂层
D. 改变材料性质
E. 镀膜


7. [单选题]电离气体与普通气体的不同之处在于:后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是()和中性粒子组成的集合体(aggregate)

A. 离子
B. 原子团
C. 电子
D. 带电粒子


8. [单选题]在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。

A. 单晶硅刻蚀
B. 多晶硅刻蚀
C. 二氧化硅刻蚀
D. 氮化硅刻蚀


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