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在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成

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    去离子水(deionized water)、绝缘体(insulator)、电子元件(electronic component)、黏附性(adhesion ability)、场氧化层(field oxide)、顺利进行

  • [单选题]在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体

  • A. 栅氧化层
    B. 沟槽
    C. 势垒
    D. 场氧化层(field oxide)

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  • 学习资料:
  • [单选题]下列哪些元素在硅中是快扩散元素:()。
  • A. Na
    B. B
    C. P
    D. As

  • [多选题]涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是()。
  • A. 进行去水烘烤以保证晶片干燥
    B. 在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
    C. 刚刚处理好的晶片应立即涂胶
    D. 贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
    E. 也可以直接使用贮存的晶片

  • [单选题]我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效,阴树脂先失效,水呈()性。
  • A. 酸
    B. 碱
    C. 弱酸
    D. 弱碱

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