必典考网
>
综合类
>
电子与通信技术题库
>
集成电路工艺原理题库
>>进入集成电路工艺原理题库题库<<
对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
下载次数:
支持语言:
1038
中文简体
文件类型:
支持平台:
pdf文档
PC/手机
[点击下载]
【名词&注释】
光刻胶
[判断题]对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
查看答案&解析
查看所有试题
学习资料:
本文链接:https://www.51bdks.net/show/x8wgny.html
推荐阅读
大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这
硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤()、()和()。
随着铜布线中大马士革工艺的引入,金属化工艺变成刻蚀()以形成
离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
集成电路工艺原理题库题库下载排行
硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(
硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。
大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能
没有CMP,就不可能生产甚大规模集成电路芯片。
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
与干法刻蚀相比,湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,
快速热处理是一种小型的快速加热系统,带有辐射热和冷却源,通常
刻蚀是用()或()有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程
必典考试
集成电路工艺原理题库题库最新资料
大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发
侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致
多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明,并共享集成电路
世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。
硅片制造厂可分为六个独立的区域,各个区域的照明都采用同一种光
CD是指硅片上的最小特征尺寸。
集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简
CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。
@2019-2025 必典考网 www.51bdks.net
蜀ICP备2021000628号
川公网安备 51012202001360号