硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分

【名词&注释】

化学反应(chemical reaction)、单晶硅(single crystal silicon)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(silicon nitride)、强迫性(obsessive-compulsive)、之所以(the reason that)

[单选题]硅晶片上之所以^{(the reason that)}可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

A. 粒子的扩散
B. 化学反应
C. 从气体源通过强迫性^{(obsessive-compulsive)}的对流传送
D. 被表面吸附

查看答案&解析 查看所有试题

学习资料：

[多选题]以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。

A. 单晶硅
B. 多晶硅
C. 硅化金属
D. 二氧化硅
E. 氮化硅

本文链接：https://www.51bdks.net/show/wgjnen.html