【导读】
必典考网发布2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员(三级)题库考试题210,更多集成电路制造工艺员(三级)题库的模拟考试请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。
1. [单选题]晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置(equilibrium position),原子在此位置时其势能为()。
A. 极大值
B. 极小值
C. 既不极大也不极小
D. 小于动能
2. [单选题]当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为()。
A. 临界剂量
B. 饱和剂量
C. 无损伤剂量
D. 零点剂量
3. [单选题]下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗()。
A. 薄膜沉积
B. 薄膜成长
C. 蒸发
D. 溅射