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2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员(三级)题库考试题210

来源: 必典考网    发布:2022-07-30     [手机版]    
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必典考网发布2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员(三级)题库考试题210,更多集成电路制造工艺员(三级)题库的模拟考试请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。

1. [单选题]晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置(equilibrium position),原子在此位置时其势能为()。

A. 极大值
B. 极小值
C. 既不极大也不极小
D. 小于动能


2. [单选题]当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为()。

A. 临界剂量
B. 饱和剂量
C. 无损伤剂量
D. 零点剂量


3. [单选题]下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗()。

A. 薄膜沉积
B. 薄膜成长
C. 蒸发
D. 溅射


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