为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、控制电路(control circuit)、残留物(residue)、有利于(beneficial to)、玻璃器皿(glassware)、第一个(first)、表面浓度(surface concentration)、金属器皿(metalware)、去光刻胶、硅铜合金

[单选题]为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A. 多晶硅
B. 单晶硅
C. 铝硅铜合金
D. 铜

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学习资料：

[单选题]通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

A. 再分布
B. 等表面浓度^{(surface concentration)}扩散
C. 预淀积
D. 等总掺杂剂量扩散

[单选题]在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。

A. 耐热陶瓷器皿
B. 金属器皿^(metalware)
C. 石英舟
D. 玻璃器皿

[多选题]晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

A. 除去光刻胶中剩余的溶剂
B. 增强光刻胶对晶片表面的附着力
C. 提高光刻胶的抗刻蚀能力
D. 有利于以后的去胶工序
E. 减少光刻胶的缺陷

[多选题]电荷积分仪的基本单元包括（）。

A. I-V转换
B. V-f转换
C. 十进制计数电路
D. 控制电路
E. 红外探测器

[多选题]铜与铝相比较，其性质有（）。

A. 铜的电阻率比铝小
B. 铝的熔点较高
C. 铝的抗电迁移能力较弱
D. 铜与硅的接触电阻较小
E. 铜可以在低温下淀积

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