【导读】
必典考网发布集成电路制造工艺员(三级)题库年=免费每日一练下载(09月21日),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的每日一练请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。
1. [单选题]光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。
A. 涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B. 涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C. 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D. 前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
2. [多选题]哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量:()。
A. 低温注入
B. 常温注入
C. 高温注入
D. 分子注入
E. 双注入