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光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()

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  • [填空题]光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

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  • [单选题]位错的形成原因是()。
  • A. 位错就是由弹性形变造成的
    B. 位错就是由重力造成的
    C. 位错就是由范性形变造成的
    D. 以上答案都不对

  • [单选题]在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()
  • A. A、干氧
    B. B、湿氧
    C. C、水汽氧化
    D. D、不能确定哪个使用的时间长

  • [单选题]将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。
  • A. 接触
    B. 接近式
    C. 投影

  • [单选题]单相3线插座接线有严格规定()
  • A. “左零”“右火”
    B. “左火”“右零”

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