晶体管工作在饱和区的条件是（）。

【名词&注释】

晶体管(transistor)、电阻率(resistivity)、导电介质(conducting medium)、自由电子(free electron)、半波整流(half wave rectification)、额定电流、模拟万用表(analog multimeter)、整流二极管(rectifier diode)、电压有效值(energy voltage)、发射结

[单选题]晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A. A．发射结正向偏置，集电结反向偏置
B. B．发射结反向偏置，集电结正向偏置
C. C．发射结正向偏置，集电结正向偏置
D. D．发射结反向偏置，集电结反向偏置

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[单选题]金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。

A. A．升高／升高
B. B．降低／降低
C. C．升高／降低
D. D．降低／升高

[单选题]关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。

A. A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B. B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质
C. C．对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质
D. D．对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质

[单选题]在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。

A. A．0.1～0.2V／0.3V
B. B．0.2～0.3V／0.7V
C. C．0.3～0.5V／0.7V
D. D．0.5V／0.7V

[单选题]用动圈式模拟万用表^{(analog multimeter)}欧姆挡检测二极管的极性，红黑表笔分别接二极管的两个极，测其电阻，再调换表笔再测一次电阻，电阻（）的那一次，黑表笔接的是（）极。

A. A．大／阴
B. B．小／阴
C. C．小／阳
D. D．大／阴或小／阳

[单选题]在采用动圈式模拟万用表^{(analog multimeter)}的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用（）挡，这是因为（）。

A. A．R×100／防止过压反响击穿二极管
B. B．R×100／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
C. C．R×1／防止过压反响击穿二极管
D. D．R×1／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏

[单选题]在桥式整流电路中，若有一只二极管极性接反，则会出现（）；若有一只二极管被击穿短路，则会出现（）。

A. A．半波整流／半波整流
B. B．无输出电压／半波整流
C. C．半波整流／无输出电压
D. D．烧毁电路／烧毁电路

[单选题]某桥式整流电路直接接有电阻负载，负载平均电流为90mA，整流电路输入的交流电压有效值^{(energy voltage)}为24V，系列关于选择整流二极管^{(rectifier diode)}的参数（最大整流电流IDM、反向耐压值）最为合适的选项是（）。

A. A．50mA、25V
B. B．100mA、50V
C. C．50mA、50V
D. D．100mA、25V

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