在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

【名词&注释】

光刻胶、反应溅射、离子注入(ion implantation)、对比度(contrast)、成品率(yield)、紫外光吸收(ultraviolet absorption)、饱和蒸汽压(saturated vapor pressure)、直流溅射(dc sputtering)、显影液(developer)

[多选题]在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

A. CA光刻胶对深紫外光吸收小
B. CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C. CA光刻胶在显影液^(developer)中的可溶性强
D. 有较高的光敏度
E. 有较高的对比度

查看答案&解析 查看所有试题

学习资料：

[单选题]钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

A. 替位式
B. 间隙式
C. 施主
D. 可能是替位式也可能是间隙式

[多选题]有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

A. 负胶受显影液^(developer)的影响比较小
B. 正胶受显影液^(developer)的影响比较小
C. 正胶的曝光区将会膨胀变形
D. 使用负胶可以得到更高的分辨率
E. 负胶的曝光区将会膨胀变形

[单选题]溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。

A. 鸟嘴
B. 空洞
C. 裂痕
D. 位错

[单选题]（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压^{(saturated vapor pressure)}来进行薄膜沉积的。

A. 蒸镀
B. 溅射
C. 离子注入
D. CVD

[多选题]溅射的方法非常多其中包括（）。

A. A.直流溅射^{(dc sputtering)}B.交流溅射C.反应溅射D.二级溅射E.三级溅射

[单选题]沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

A. 不会影响成品率
B. 晶圆缺陷
C. 成品率损失
D. 晶圆损失

本文链接：https://www.51bdks.net/show/rzx5k9.html