【导读】
必典考网发布2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员(三级)题库历年考试试题集锦(4Q),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的考试试题请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。
1. [多选题]()的方法有利于减少热预算。
A. 高压氧化
B. 湿氧氧化(wet oxidized)
C. 掺氯氧化
D. 氢氧合成氧化
E. 等离子增强氧化
2. [多选题]下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。
A. 二氧化硅氮化硅
B. 多晶硅硅化金属
C. 单晶硅多晶硅
D. 铝铜
E. 铝硅
3. [多选题]薄膜沉积的机构包括那些步骤()。
A. 形成晶核
B. 晶粒成长
C. 晶粒凝结
D. 缝道填补
E. 沉积膜成长