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按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为:()蒸发、()蒸

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    电子束(electron beam)、三极管(triode)、真空蒸发(vacuum evaporation)、电力电子器件(power electronic devices)、电阻加热(resistance heating)、时间长(a long time)、离子束蒸发(ion beam evaporation)

  • [多选题]按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为:()蒸发、()蒸发、离子束蒸发(ion beam evaporation)等。

  • A. 电阻加热
    B. 电子束
    C. 蒸气原子

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  • 学习资料:
  • [单选题]位错的形成原因是()。
  • A. 位错就是由弹性形变造成的
    B. 位错就是由重力造成的
    C. 位错就是由范性形变造成的
    D. 以上答案都不对

  • [多选题]硅外延片的应用包括()。
  • A. 二极管和三极管
    B. 电力电子器件
    C. 大规模集成电路
    D. 超大规模集成电路

  • [单选题]在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()
  • A. A、干氧
    B. B、湿氧
    C. C、水汽氧化
    D. D、不能确定哪个使用的时间长(a long time)

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