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干氧氧化法具备以下一系列的优点()。

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    离子注入(ion implantation)、砷化氢(arsine)、干氧氧化(dry oxidation)

  • [多选题]干氧氧化法具备以下一系列的优点()。

  • A. 生长的二氧化硅薄膜均匀性好
    B. 生长的二氧化硅干燥
    C. 生长的二氧化硅结构致密
    D. 生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
    E. 生长的二氧化硅掩蔽能力强

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  • 学习资料:
  • [单选题]如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是:()。
  • A. 扩散剂总量
    B. 压强
    C. 温度
    D. 浓度

  • [多选题]离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。
  • A. 砷化氢
    B. 二硼化氢
    C. 四氟化硅
    D. 三氟化磷
    E. 五氟化磷

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