斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大

【名词&注释】

全反射(total reflection)、入射角(incident angle)、溶剂型(solvent type)、质量数(mass number)、高斯计(gaussmeter)、第一临界角、折射角(refraction angle)、定影液(fixer)、近场区(near field region)、显影液(developer)

[判断题]斜探头横波声场近场区^{(near field region)}分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而缩短。

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学习资料：

[单选题]（）是指纵波入射时使第二介质中的横波折射角^{(refraction angle)}等于90°时的纵波入射角及第二介质中的横波全反射。

A. A、第二临界角
B. B、第一临界角
C. C、第三临界角
D. D、以上都不对

[单选题]下列（）晶片发射纵波的近场区^{(near field region)}最长。

A. A、1MHzφ14mm
B. B、2.5MHzφ14mm
C. C、1MHzφ20mm
D. D、25MHzφ30mm

[单选题]胶片处理过程中不可少药液是显影液^(developer)、定影液^(fixer)和（）。

A. A、停显液
B. B、醋酸
C. C、水
D. D、以上都不对

[单选题]（）指的是同位素。

A. A、质量数相同，中子数不同的元素
B. B、质量数不同，中子数相同的元素
C. C、质子数相同，中子数不同的元素
D. D、中子数相同，质子数不同的元素

[单选题]零件是否被磁化用（）检查。

A. A、磁罗盘
B. B、场强计
C. C、高斯计
D. D、以上可以

[单选题]专用于检漏的渗透材料选用（）最经济方便。

A. A、水洗型B、溶剂型C、后乳化型D、荧光型

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